[发明专利]光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310195621.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103309151A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48;G03F1/68;H01L21/3105;B05D3/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。本发明的光刻胶的处理方法，能够在保证线宽的前提下，有效地提高所述光刻胶的表面致密度，避免或减少缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 处理 方法 以及 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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