[发明专利]电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构在审
| 申请号： | 201310195693.X | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183633A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 邱永汉;倪志荣;蒋汝平;谢荣源 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/788;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构。电荷储存结构设置于衬底上的介电层上，且包括第一未经掺杂电荷储存层以及经掺杂电荷储存层。第一未经掺杂电荷储存层设置于介电层上。经掺杂电荷储存层设置于第一未经掺杂电荷储存层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 储存 结构 及其 制造 方法 以及 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种电荷储存结构，设置于衬底上的介电层上，且包括：第一未经掺杂电荷储存层，设置于该介电层上；以及经掺杂电荷储存层，设置于该第一未经掺杂电荷储存层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司;，未经华邦电子股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310195693.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种沟槽栅IGBT芯片
- 下一篇：一种LED阵列光源结构
- 同类专利
- 专利分类
