[发明专利]带有改良型终止结构的氮化镓半导体器件

摘要

本发明提出了一种设置在半导体衬底中基于氮化镓的半导体功率器件。该功率器件包括设置在所述的半导体功率器件的外围区域中的终止区，它是由一个具有至少一个保护环的终止结构构成的，保护环设置在用掺杂的基于镓的外延层填充的沟槽中。

主权项

一种用于制备设置在半导体衬底中的基于氮化镓的半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：在半导体功率器件的外围区域打开至少一个沟槽，并在沟槽中生长一个基于氮化镓的掺杂外延层，起保护环的作用，构成基于镓的半导体功率器件的终止结构；在外延生长的N++氮化镓层上方，外延生长一个N型氮化镓层；在N型氮化镓层上方沉积一个肖特基金属层，并将阴极电连接到N++氮化镓层；其中所述的在外围区域中打开沟槽的步骤是在所述的N型氮化镓层的外围区域中打开沟槽，并在将要设置肖特基金属层的位置的下面的N型氮化镓层的中间部分中，打开多个结势垒肖特基沟槽，用基于氮化镓的P型半导体层外延填充在所述的沟槽和结势垒肖特基沟槽中，然后在所述的结势垒肖特基沟槽上方形成一个肖特基金属层；在所述的肖特基金属层下面，用基于氮化镓的P型半导体层填充的所述的结势垒肖特基沟槽形成一个结势垒肖特基二极管的一部分，用基于氮化镓的半导体层填充的在外围区域中所述的沟槽，形成所述的结势垒肖特基二极管的保护环。