[发明专利]一种基准电压源有效
| 申请号： | 201310196275.2 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104181971A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 罗广泉;白青刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 朱业刚 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 针对现有的基准电压源电路结构复杂、功耗大及面积大的技术问题，本发明提供一种基准电压源，包括：第一耗尽型MOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、及第三增强型NMOS管。本发明实施例提供的基准电压源仅有四个MOS管来实现，结构简单，占用的芯片的面积小，静态功耗也很小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 | ||
【主权项】：
一种基准电压源，其特征在于，包括：第一耗尽型MOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、及第三增强型NMOS管；所述第一耗尽型MOS管的源极和栅极连接，所述第一增强型NMOS管的漏极连接供电端，所述第一增强型NMOS管的源极连接基准电压输出端、所述第一增强型NMOS管的栅极连接所述第二增强型NMOS管的漏极，所述第二增强型NMOS管的源极连接至接地端，所述第二增强型NMOS管的栅极与所述第三增强型NMOS管的栅极共同连接至所述第三增强型NMOS管的漏极，所述第三增强型NMOS管的漏极连接所述第一增强型NMOS管的源极，所述第三增强型NMOS管的源极连接至所述接地端；所述第一耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管，所述第一耗尽型MOS管的漏极与所述供电端连接，所述第一耗尽型MOS管的源极与所述第二增强型NMOS管的漏极连接；或所述第一耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管，所述第一耗尽型MOS管的漏极与所述第二增强型NMOS管的漏极连接，所述第一耗尽型MOS管的源极与所述供电端连接。
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