[发明专利]铈掺杂氮氧硅镓的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件无效
| 申请号： | 201310196839.2 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104178141A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;张娟娟 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;H05B33/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料领域，其公开了一种铈掺杂氮氧硅镓的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件；该发光薄膜的其化学通式为:aGa2-xO3-bSi3N4:xCe3+；其中，aGa2-xO3-bSi3N4是基质，Ce3+是激活光离子，为发光薄膜的发光中心x的取值范围为0.001～0.04。铈掺杂氮氧硅镓的发光薄膜，其电致发光谱（EL）中，在535nm位置有很强的发光峰。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氮氧硅镓 发光 薄膜 及其 制备 方法 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
一种铈掺杂氮氧硅镓的发光薄膜，其特征在于，其化学通式为:aGa2‑xO3‑bSi3N4:xCe3+；其中，aGa2‑xO3‑bSi3N4是基质，Ce3+是激活光离子，为发光薄膜的发光中心，x的取值范围为0.001～0.04，a的取值范围0.03～0.1，b的取值范围0.91～0.97。
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