[发明专利]一种钐钴基永磁体、其制备方法以及磁性能调控方法有效

专利信息
申请号: 201310196922.X 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN104183349B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 刘雷;刘壮;陈仁杰;闫阿儒;刘兴民;李东;李卫 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01F1/055 分类号: H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种钐钴基永磁体、其制备方法及磁性能调控方法。该永磁体由钐、钴元素以及R、M元素组成;其微观结构主要是由两种化合物组成,即结晶状为菱方结构的(SmR)2(CoM)17系化合物和结晶状为六方结构的(SmR)(CoM)5系化合物所组成的胞状复合体,其中(SmR)(CoM)5系化合物作为胞壁包裹(SmR)2(CoM)17系化合物,并且R元素相对富集在胞壁相中。具有该结构的永磁体由于R元素能够调节胞壁相的磁特性参数,从而能够对磁体的磁性能及其温度稳定性等性能进行调控,得到具有实际所需磁性能的钐钴基永磁体。
搜索关键词: 一种 钐钴基 永磁体 制备 方法 以及 磁性 调控
【主权项】:
一种提高钐钴基永磁体矫顽力温度稳定性的方法,其特征是:所述的钐钴基永磁体由钐、钴元素以及R、M元素组成,其中R为Pr、Nd、Y、Gd、Dy、Tb、Ho、Er中的两种以上元素的组合元素,M为选Fe、Cu、Zr、Ni、Ti、Nb、Mo、Hf、W所组成的组中的至少一种元素;所述的钐钴基永磁体的微观结构主要是由两种化合物组成,即结晶状为菱方结构的(SmR)2(CoM)17系化合物与结晶状为六方结构的(SmR)(CoM)5系化合物,组成的胞状复合体,其中(SmR)(CoM)5系化合物作为胞壁包裹(SmR)2(CoM)17系化合物;并且,使所述的R元素在(SmR)(CoM)5系化合物中的浓度高于在(SmR)2(CoM)17系化合物中的浓度;所述的钐钴基永磁体的制备方法包括如下步骤:步骤1、制备原料粉末将钐、钴、R、M元素按照一定质量配比熔炼成相应的合金,其中,合金包括:2‑17型Sm‑Co系合金和R1H低熔点合金,然后通过制粉工艺将所炼合金制成原料粉末,原料粉末是采用液相法制备的混合有R1H低熔点合金粉末的2‑17型Sm‑Co系合金混合粉末,其中R1为Pr、Nd、Y、Gd、Dy、Tb、Ho、Er中的至少一种元素,H为选Fe、Co、Cu、Zr、Ni、Ti、Nb、Mo、Hf、W所组成的组中的至少一种元素;步骤2、制备毛坯将步骤1中的制得的原料粉末在氮气保护环境中磁场取向压型,然后密封、在200‑300MPa的压力下冷等静压,获得磁体毛坯;步骤3、热处理将步骤2中制得的磁体毛坯在烧结炉中进行热处理,最终得到钐钴基永磁体;通过提高永磁体中该R元素的质量含量而提高该钐钴基永磁体的矫顽力温度稳定性。
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