[发明专利]一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310197943.3 | 申请日： | 2013-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103295956A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张春敏;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;C23C28/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于超大规模集成电路铜互连工艺技术领域，具体涉及一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法。本发明利用等离子体增强原子层淀积工艺，以双(乙基环戊二烯基)钌(II)为前驱体，通过调节氧气等离子体的曝光时间来得到纯钌金属。等离子体增强原子层淀积工艺可以在纳米级精确地控制钌薄膜的生长厚度，而钌薄膜具有与铜良好的黏附性和电镀时不溶于铜的优良特性，能够避免沟槽和通孔产生空洞，实现无籽晶铜电镀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 增强 原子 层淀积 工艺 制备 超薄 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法，其特征在于，具体步骤为：（1）将需要生长钌薄膜的基底放入反应腔中；（2）将反应腔加热至250℃~270℃；（3）利用等离子体增强原子层淀积工艺，通过控制反应周期数得到预设厚度的钌薄膜，其中，利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜的单个反应周期包括：以双(乙基环戊二烯基)钌(II)为前驱体，对双(乙基环戊二烯基)钌(II)进行加热，并将加热得到的挥发气体通入反应腔中； 排空反应腔；用氧气等离子体对基底进行曝光；再排空反应腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
