[发明专利]光电子半导体器件有效
| 申请号： | 201310198256.3 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103367573A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 安部正幸 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;安部正幸 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人： | 蔡正保;朱新颖 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电子半导体器件，属于半导体技术领域。它解决了现有半导体芯片结晶缺陷的存在影响了芯片成品率的问题。一种光电子半导体器件，包括衬底和半导体芯片，该半导体芯片通过如下方法得到：在发光领域存在的结晶缺陷密度D超过光电子半导体外延结晶片标定的最小结晶缺陷密度D时，算出有效发光面积A的最大值，在有效发光面积A的最大值范围内选取半导体芯片有效发光面积A2并以该半导体芯片有效发光面积A2对外延结晶片进行切割，并得到半导体芯片；之后用半导体芯片制造出光电子半导体器件。本发明采用能够将一些结晶缺陷密度大的外延片也能够进行分割从而得到较多数量的有效的光电子半导体芯片，提高效率，减少浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括衬底和半导体芯片，该半导体芯片通过如下方法在光电子半导体外延结晶片上得到：在发光领域存在的结晶缺陷密度D超过光电子半导体外延结晶片标定的最小结晶缺陷密度D时，算出有效发光面积A的最大值，在有效发光面积A的最大值范围内选取半导体芯片有效发光面积A2并以该半导体芯片有效发光面积A2对外延结晶片进行切割，并得到半导体芯片；之后用半导体芯片制造出在衬底上具有包含设有n型电极的n型半导体以及包含设有p型电极的p型半导体的光电子半导体器件。
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