[发明专利]一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法无效
| 申请号： | 201310199554.4 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103320132A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林鸿良;陈俊 | 申请（专利权）人： | 合肥晶桥光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/82 | 分类号： | C09K11/82;C30B29/30 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230041 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Tm、Ho掺杂钒酸钪TmyHozSc1-y-zVO4发光材料（0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1）。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；TmyHozSc1-y-zVO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tm ho 掺杂 scvo sub 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于：该发光材料分子式可表示为 TmyHozSc1‑y‑zVO4 ，所述的 y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶桥光电材料有限公司，未经合肥晶桥光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310199554.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
