[发明专利]相变存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310200031.7 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103456882B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 朴台镇;宋胤宗;郑七熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变存储器件的方法，该方法包括：在衬底上形成下电极，包括：形成下电极层图样；以及在下电极层图样中形成第一凹处；邻近于下电极并与下电极空间隔开地在第一凹处中形成热沉；其中形成热沉包括：在衬底上形成第一绝缘层以覆盖下电极；在第一绝缘层上形成金属层以充分填充邻近于下电极的第一凹处空间；以及将金属层的上部移除到低于下电极的顶面的水平；在下电极之上形成相变材料层图样；以及在相变材料层图样之上形成上电极；其中形成热沉包括形成具有低于上电极的顶面的顶面的热沉。
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