[发明专利]一种透明阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310200068.X | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103280525A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;郝华;娄建忠;刘保亭 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 白海静 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控溅射的方法依次在透明衬底上沉积下电极层—阻变层—上电极层。本发明所提供的透明阻变存储器，具有良好的透光性，其在可见光波段范围内的透光率均在76%以上，最高可达92%左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，其特征是，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。
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