[发明专利]以1.0nm水合高岭石为插层前驱体制备的丝氨酸/高岭石插层复合物及制备方法有效
| 申请号： | 201310200684.5 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103265046A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;郑婉;周璟;马宁;韩高荣;翁文剑;赵高凌;沈鸽;宋晨路;程逵;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/44 | 分类号： | C01B33/44 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以1.0nm水合高岭石为插层前驱体制备的丝氨酸/高岭石插层复合物及制备方法，该方法为：以层间距为d001=1.0nm的水合高岭石，与丝氨酸溶液混合后，先控制体系在较低温度下搅拌几分钟，然后再控制在相对较高温度下反应几分钟，制备得到丝氨酸/高岭石插层复合物。高岭石层间距由插入丝氨酸前的d001=1.0nm扩大至插入丝氨酸后的d001=1.14nm，插层率可达到90%~100%，丝氨酸在高岭石层间以平行于高岭石片层方式呈单层排列，其羧基与高岭石的内表面羟基形成氢键，氨基与高岭石硅氧层的氧原子形成氢键。本发明制备工艺简单，可批量生产，得到的丝氨酸/高岭石插层复合物可稳定长时间存在。 | ||
| 搜索关键词： | 1.0 nm 水合 高岭石 前驱 体制 丝氨酸 高岭石插层 复合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以1.0nm水合高岭石为插层前驱体制备的丝氨酸/高岭石插层复合物，其特征在于，丝氨酸进入高岭石层间，高岭石层间距由插入丝氨酸前的d001=1.0nm扩大至插入丝氨酸后的d001=1.14nm，插层率为90%~100%；丝氨酸在高岭石层间以平行于高岭石片层方式呈单层排列，其羧基与高岭石的内表面羟基形成氢键，氨基与高岭石硅氧层的氧原子形成氢键；丝氨酸的‑OH基团潜入高岭石硅氧四面体复方三孔空隙中；所述丝氨酸/高岭石插层复合物能够在空气中长时间稳定存在。
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