[发明专利]一种鄂西红豆树离体胚培养及植株再生的关键技术

摘要

本发明提供一种鄂西红豆树离体胚培养及植株再生的关键技术，属于红豆树种子资源的保存和大量繁殖的技术。解决现有技术中红豆树种子来源困难，种子易遭鼠食;种子坚硬，种皮干燥后不容易吸收水分，种皮透水性差，自然繁衍能力、传播扩散能力不强，结实年龄迟，自然更新困难且需要间隔3~5年开花结果，优良种苗稀缺的问题。本发明选取当年结实籽粒饱满的种子为材料，经过胚诱导培养20~35天即可萌发出生长健壮的胚芽植株，再经过25~45天的增殖培养和20~30天壮苗培养；以及25~35天生根的培养即可成苗、移栽，成活率达95%以上，扩繁系数较高，增殖时间短，成苗移植后成活率高，苗木健壮挺拔，叶片亮绿，长势良好，整齐一致。

主权项

一种鄂西红豆树离体胚培养及植株再生的关键技术，其特征是：1)取材方法：选取当年结实的籽粒饱满的鄂西红豆树红豆树种子为材料，采摘后用湿布包好，带回实验室后用洗涤剂漂洗干净，再置于流水中冲滴。2)培养基的配制：按以下配方配制各个培养基：胚芽诱导培养基：WPM+BA(1.0mg·L‑1)+KT (0.5mg·L‑1)+NAA (0.1mg·L‑1)+琼脂 (6.0g·L‑1) +Su (20g·L‑1)+活性炭 (1.0～1.5 g·L‑1)；芽增殖培养基：WPM+BA(1.5mg·L‑1) +KT (1.0mg·L‑1) +TDZ(0.2mg·L‑1)+NAA (0.3mg·L‑1) + 琼脂 (6.0g·L‑1) +Su (20g·L‑1) +活性炭 (1.0～1.5 g·L‑1)；壮苗培养培养基：WPM+BA(1.5mg·L‑1) +KT (1.0mg·L‑1) +TDZ(0.2mg·L‑1)+NAA (0.5mg·L‑1) + 琼脂 (6.0g·L‑1) +Su (30g·L‑1) +活性炭 (1.5～2.0 g·L‑1)；    生根培养基：1/2 WPM + NAA (0.3mg·L‑1) +IBA (1.0mg·L‑1) + 琼脂 (6.0g·L‑1) +Su (30g·L‑1) +活性炭 (1.5～2.0g·L‑1)；     培养基厚度均为1.4~1.6cm；3) 材料的消毒处理：先对种子材料用机械力去除坚硬的种子生长点外壳的1/3部分，用自来水冲洗，置饱和漂白粉上清液中浸泡，并用轻轻刷洗种子外壳，浸泡刷洗干净后，在自来水下滴冲0.5‑1h后，再双蒸水冲洗，之后置超净工作台用75%的酒精消毒30s后倒去酒精，加入0.1%wt升汞溶液浸泡13~15min后倒去升汞溶液，用无菌水冲4～6遍，用消毒滤纸吸干种子材料表面水分；4) 胚芽诱导培养：取步骤3)处理后的种子材料接种于经灭菌的胚芽诱导培养基中；胚芽诱导的培养条件：温度为25±2℃，前10~15天暗培养，16天以后光强度为1000～1500lx，光照时间12h/d，胚芽诱导时间：暗培养10~15天后，再培养10~20天；5) 增殖培养：将经步骤4)胚芽诱导培养所得到的生长良好的芽切成1~2cm长的带液芽茎段，接种在增殖培养基中进行增殖培养；所述增殖培养的条件：培养室温度为25±2℃，光照时间12h/d，光照强度为1500～2000lx，增殖培养时间25~45天；6）壮苗培养：将经增殖培养所得到的生长良好的完整植株单株切下，带有1～2片叶子，株高1～1.5cm，转移到壮苗培养基中；所述壮苗培养的培养条件：培养室温度为25±2℃，光照时间12h/d，光照强度：光照强度为1500～2000lx，壮苗培养时间20~30天； 7）诱导生根：将壮苗培养出来的幼苗单株，带有2～3片叶子，株高1～2cm，转移到生根培养基中；所述生根培养的培养条件：培养室温度为25±2℃，光照时间12h/d，光照强度：光照强度为1500～2000lx，生根培养时间25~35天；8）试管苗完成：当诱导生根培养出的试管苗生长至3~4cm高，有3~5条根，3~6片叶片，叶长2～3cm时，完成红豆树离体胚培养及植株再生的试管苗培养；    9) 瓶苗移栽：将步骤8）完成的试管苗放在自然光下炼苗3～5天，再打开瓶盖进行炼苗2天；然后从培养瓶中取出，洗去附着在根系的培养基，移入蛭石和腐殖土以质量比1：2混合的基质中，放置在温度15～30℃，湿度在75％～85％，避免阳光直射的环境下培养，获得的红豆树种苗。