[发明专利]一种钛掺杂钡铁氧体陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310201043.1 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103274677A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;刘初阳;贾敬国;马宁;程逵;徐刚 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钛掺杂的钡铁氧体陶瓷材料及其制备方法，这种陶瓷材料通过钛掺杂实现致密化烧结，通过钛离子对铁离子的取代形成电子跳跃和不均匀导电结构。这种陶瓷本身具有高的剩余磁化强度，且利用这种不均匀导电结构可产生极大的介电常数。这种钛掺杂的钡铁氧体陶瓷的制备方法为：先通过柠檬酸盐溶胶凝胶法制备陶瓷先驱体，然后经成型和高温烧结最终形成。其中，钛和钡的摩尔比控制为0.4~0.8，铁和钡的摩尔比控制为11.6~11.2。本发明工艺简单，成本低，可同时获得极高的介电常数和高的饱和磁化强度及剩余磁化强度。这种钛掺杂钡铁氧体陶瓷作为一种重要的多功能材料，可用于开发制备相关的电子元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铁氧体 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛掺杂的钡铁氧体陶瓷材料，其特征是：所述钛掺杂钡铁氧体陶瓷为单相材料，钡铁氧体中部分铁离子被钛离子取代，所掺杂离子以一种带四价正电的Ti4+离子存在，铁氧体中的铁离子则以Fe3+和Fe2+离子形式共存。
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