[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种垂直存储器件及其制造方法。垂直型半导体器件包括形成在半导体衬底的单元区中的公共源极区。沟道区形成在公共源极区上。沟道区具有预定高度和第一直径。漏极区形成在沟道区上。漏极区具有预定高度和比第一直径大的第二直径。第一栅电极包围沟道区。

主权项

一种制造垂直型半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有单元区和外围区的半导体衬底；将所述单元区的所述半导体衬底图案化以形成柱体结构；在所述柱体结构中，形成从所述柱体结构的底部至预定高度的凹陷；以及形成第一栅电极以包围所述凹陷，其中，形成所述柱体结构的步骤包括以下步骤：将所述单元区的所述半导体衬底图案化以形成第一图案结构；在所述第一图案结构之间的所述半导体衬底上形成第一绝缘层达预定高度；在所述第一图案结构之间，在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；将所述单元区的所述半导体衬底图案化以形成第二图案结构；在所述半导体衬底的暴露出的表面上形成第一栅绝缘层；在所述第二图案结构之间形成第三绝缘层达预定高度；在所述第二图案结构的侧壁上和所述第三绝缘层上形成保护层；以及去除所述第一绝缘层和所述第三绝缘层。