[发明专利]直通硅晶穿孔及其制作工艺

摘要

本发明公开一种直通硅晶穿孔及其制作工艺，该直通硅晶穿孔包含一基底以及一导电插塞。基底具有一孔洞，位于一面中。导电插塞设置于孔洞中，且导电插塞具有一上半部突出于此面，其中上半部具有一顶部以及一底部，且顶部较底部细。另外，本发明又提供一种形成前述直通硅晶穿孔的制作工艺。首先，提供一基底，具有一面。接着，自基底的此面形成一孔洞。接续，形成一第一导电材料覆盖孔洞以及面。续之，形成一图案化光致抗蚀剂覆盖面并暴露出孔洞。继之，形成一第二导电材料于暴露出的第一导电材料上。而后，移除图案化光致抗蚀剂。其后，移除位于面上的第一导电材料以形成一导电插塞于孔洞中。

主权项

一种直通硅晶穿孔，包含：基底，具有一孔洞，位于一面中；导电插塞，设置于该孔洞中，且该导电插塞具有一上半部，突出于该面，其中该上半部具有一顶部以及一底部，且该顶部较该底部细；以及导电垫，位于该导电插塞上，该导电垫与该底部具有相同直径。