[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201310201359.0 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104183495A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;李俊峰;张琦辉;刘青;宋希明;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底及其上的栅堆叠；在所述栅堆叠的侧壁上形成伪侧墙，所述伪侧墙掺杂有N型或P型粒子；进行源漏注入；进行热退火，以形成源漏区，同时伪侧墙扩散形成源漏延伸区；去除伪侧墙，并形成替代侧墙。无需预非晶化注入，一次热预算完成源漏区及源漏延伸区的激活，不会加大源漏延伸区的结深，工艺简单且集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底及其上的栅堆叠；在所述栅堆叠的侧壁上形成伪侧墙，所述伪侧墙掺杂有N型或P型粒子；进行源漏注入；进行热退火，以形成源漏区，同时伪侧墙扩散形成源漏延伸区；去除伪侧墙，并形成替代侧墙。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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