[发明专利]用于鳍状场效应晶体管的金属栅极和栅极接触件结构有效
| 申请号： | 201310201889.5 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104009070B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/45;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于鳍状场效应晶体管的金属栅极和栅极接触件结构，其中本公开的实施例包括衬底，衬底的一部分向上延伸形成鳍状物；覆盖鳍状物的顶面和侧壁的栅极介电层；覆盖栅极介电层的衬垫；以及位于覆盖栅极介电层的衬垫的一部分之上的连续金属部件，其中衬垫从连续金属部件的顶面开始延伸并覆盖金属部件的侧壁，栅极介电层、衬垫和连续金属部件共同形成栅极、栅极接触势垒和栅极接触件。本发明还公开了用于鳍状场效应晶体管的金属栅极和栅极接触件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 金属 栅极 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：衬底；位于所述衬底之上并连接于所述衬底的半导体带，其中，所述半导体带的顶部形成鳍状物；位于所述衬底之上的第一层间电介质，其中，所述鳍状物延伸进入所述第一层间电介质；位于所述第一层间电介质之上的第二层间电介质，其中，所述鳍状物不延伸进入所述第二层间电介质；衬垫，从所述第二层间电介质的顶面延伸进入所述第一层间电介质并位于所述鳍状物的顶面和侧壁之上；所述第一层间电介质中位于所述鳍状物之上的信号金属，其中，所述衬垫的一部分位于所述信号金属和所述鳍状物之间；以及所述第二层间电介质中位于所述信号金属之上并连接于所述信号金属的栅极接触件，其中，所述衬垫覆盖所述栅极接触件的侧壁，所述栅极接触件和所述信号金属形成连续金属区。
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