[发明专利]一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法无效

专利信息
申请号: 201310202147.4 申请日: 2013-05-28
公开(公告)号: CN103320630A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 沈同德 申请(专利权)人: 江苏迈盛新材料有限公司
主分类号: C22C1/00 分类号: C22C1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225400 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法,将熔剂覆盖于合金之上,加热至合金液相线温度之上,然后施以真空纯化熔体。利用真空有效地排出熔体中的水、氧、氮、硫等有害杂质;同时,利用熔体中气体排放形成的对流,使熔体与熔剂进行有效地接触,进而使熔体中的有害杂质元素为熔剂所中和或吸收。最后,以炉冷、空冷、水冷、铜模冷却、旋转铜辊冷却等方式将合金熔体冷却至室温,形成非晶合金固体。本发明可以在不改变合金的元素组成与原子配比的基础上,有效地降低非均质形核速率,显著地提高多种合金液体冷却时的非晶形成能力以及非晶合金固体加热后的过冷液体热稳定性。
搜索关键词: 一种 制备 块体 熔剂 覆盖 真空 纯化 方法
【主权项】:
一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法,其特征在于:将母合金和熔剂混合,加热至母合金液相线温度之上100‑600 oC过热温度,使熔剂覆盖于合金熔体之上;在对合金熔体保温0.1‑2小时的同时,施以真空纯化熔体,利用真空有效地排出熔体中的水、氧、氮、硫等有害气体;同时,利用熔体中气体排放形成的对流,使熔体与熔剂进行有效地接触,进而将熔体中的有害杂质元素为熔剂所中和或吸收;最后将合金熔体冷却至室温形成非晶合金固体。
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