[发明专利]宽带低噪声放大器

摘要

本发明涉及半导体器件，公开了一种宽带低噪声放大器。本发明中，该宽带低噪声放大器利用交叉耦合晶体管网络作为宽带阻抗匹配网络，可在很宽的频带内实现近似纯电阻的特性，并且电路结构简单，使其在不牺牲噪声的前提下，实现良好的宽带阻抗匹配性能，即实现噪声性能和带宽性能的同时优化；与传统的低噪声放大器相比，其避免了射频电感的使用，使得芯片面积大大降低，可以减小80%以上。

主权项

一种宽带低噪声放大器，其特征在于，包括输入放大级电路和负载输出电路；所述负载输出电路用于实现所述放大器的增益；所述输入放大级电路包括第一、第二、第三、第四金属氧化物半导体MOS管，第一、第二电容和第一、第二电阻；第一、第二MOS管的栅极接第一电压信号；第一MOS管的源漏极的一极接地，第一MOS管的另一极接第一输入信号并与第三MOS管的源漏极的一极连接，该第三MOS管的另一极与所述负载输出电路连接，该第三MOS管的栅极与第一电阻、第一电容的一极连接，该第一电阻的另一极接第二电压信号，该第一电容的另一极接第二输入信号；第二MOS管的源漏极的一极接地，第二MOS管的另一极接第二输入信号并与第四MOS管的源漏极的一极连接，该第四MOS管的另一极与所述负载输出电路连接，该第四MOS管的栅极与第二电阻、第二电容的一极连接，该第二电阻的另一极接第二电压信号，该第二电容的另一极接第一输入信号。