[发明专利]级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源有效
申请号: | 201310203752.3 | 申请日: | 2013-05-28 |
公开(公告)号: | CN103632909A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 刘文鑫;张兆传;王勇;赵超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H01J25/42 | 分类号: | H01J25/42;H01J23/06;H01J23/087 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 发明提供了一种级联高频结构的双电子注THz波辐射源。该双电子注THz波辐射源采用返波振荡器产生THz信号作为行波放大器的激励信号,在同一个THz波辐射源中,既实现了高功率THz波产生同时又实现THz波功率放大和频带展宽,从而有利于THz波辐射源在抗干扰、有害物质检测、超宽带雷达远距离探测和高分辨率成像雷达等方面的应用。 | ||
搜索关键词: | 级联 高频 结构 电子 赫兹 辐射源 | ||
【主权项】:
一种级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源,其特征在于,包括:双电子注电子枪,包括:第一阴极和第二阴极,其中,该第一阴极用于发射出低压电子注;该第二阴极用于发射高压电子注,该低压电子注和高压电子注的传播方向相互平行;返波电子注收集极,设置于所述双电子注电子枪的第一阴极的正对位置,所述第一阴极和所述返波电子注收集极之间形成返波段注‑波互作用区。行波电子注收集极,设置于所述双电子注电子枪的第二阴极的正对位置,所述第二阴极和所述行波电子注收集极之间形成行波段注‑波互作用区;磁场产生部件,设置于返波段注‑波互作用区和行波段注‑波互作用区的两侧,用于产生垂直于所述低压电子注和高压电子注传输方向的磁场;返波‑行波级联部件,包括:返波高频结构,设置于所述返波段注‑波互作用区;行波高频结构,设置于所述行波段注‑波互作用区,其波入口通过级联结构连接至所述返波高频结构的出口;其中,所述第一阴极发射的低压电子注与所述返波高频结构相互作用产生太赫兹波,经过返波段高频结构作用后的低压电子注由返波电子注收集极收集,所述太赫兹波通过级联结构入射行波高频结构;所述第二阴极产生的高压电子注,在所述行波高频结构的作用下,对所述太赫兹波进行功率放大和频率展宽,经过行波高频结构作用后的高压电子注由行波电子注收集极收集,功率放大及频率展宽后的太赫兹波由行波高频结构的波出口输出。
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