[发明专利]一种PECVD装置有效
申请号: | 201310203771.6 | 申请日: | 2013-05-28 |
公开(公告)号: | CN103276373A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 何祝兵;王春柱;苏奇聪 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种PECVD装置,包括工艺腔体,以及均设置在所述工艺腔体内的承载架、冷却均热板及至少一个反应室;所述均热为多个,沿竖直向呈层式排布安装至所述承载架;所述反应室水平设置在相邻两个均热之间,且各所述反应室的上下两侧均设置有所述均热。各反应室的上下两侧均设置有均热,通过均热的冷却均热和隔离作用,消除各反应室之间的热量辐射干扰,保证各反应室温度的一致性;同时冷却加热板具有冷却的作用的,避免工艺腔体温度过高,保护工艺腔体的密封结构,又使工艺腔体的温度不致过低,避免浪费加热的能源。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 装置 | ||
【主权项】:
一种PECVD装置,其特征在于,包括工艺腔体,以及均设置在所述工艺腔体内的承载架、冷却均热板及至少一个反应室;所述冷却均热板为多个,沿竖直向呈层式排布安装至所述承载架;所述反应室水平设置在相邻两个所述冷却冷却均热板之间,且各所述反应室的上下两侧均设置有所述冷却均热板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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