[发明专利]增加对电迁移的阻力的结构有效
| 申请号： | 201310204126.6 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103681555A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;郭宏瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括在相邻两根金属线之间聚合物层中以及钝化层上方的凹槽或者在重分配金属线上的抗电迁移层以增加对电迁移的阻力。本发明还公开了增加对电迁移的阻力的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 迁移 阻力 结构 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底；位于所述衬底上方的多个层间介电层；位于所述衬底上方的多个金属层；位于所述多个层间介电层和所述多个金属层上方的第一聚合物层；其中，所述第一聚合物层具有第一表面、与所述第一表面在相同侧的第二表面以及与所述第一表面相对的第三表面，所述第一表面和所述第二表面的深度差为大约或者大于1um；位于所述第一聚合物层的所述第一表面上的多根金属线；以及位于所述多根金属线和所述第一聚合物层上的第二聚合物层。
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