[发明专利]制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法无效
| 申请号： | 201310205664.7 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456850A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 金东显;金东云;金美璟;金旼柱;金雅罗;金铉埈;徐中源;禹广济;李宝贤;全钟必;郑璟燮 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋颖娉;宋志强 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法。该方法包括下列步骤：在由块晶体构成的第一衬底上外延生长一外延生长层；裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层留下晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的；以及将第二衬底粘结到所述晶体薄膜上，所述第二衬底的化学成分与所述第一衬底的化学成分不同。有可能排除相关技术的导电势垒层，防止反射层因高温处理而发生故障，并且从根本上防止了由于彼此粘结的异质材料之间的热膨胀系数差而导致的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 半导体器件 薄膜 粘结 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法，所述方法包括：在由块晶体构成的第一衬底上外延生长一外延生长层；裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层上留下晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的；以及将第二衬底粘结至所述晶体薄膜，所述第二衬底的化学成分与所述第一衬底的化学成分不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星康宁精密素材株式会社，未经三星康宁精密素材株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310205664.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锂镍钴锰正极材料粉体
- 下一篇：利用煤直接液化残渣制备焦炭的方法
