[发明专利]半导体基板的高原结构成形方法

摘要

一种半导体基板的高原结构成形方法，包含：决定多个预定分裂线于半导体基板的表面上的布局，此些预定分裂线用以分裂半导体基板成多个半导体芯片，并依据此些预定分裂线的布局决定多个预定切割位置，接着，决定预定切割深度，使预定切割深度大于半导体基板的半导体接面与半导体基板的表面之间的距离，最后，根据此些预定切割位置及预定切割深度，以刀具切割半导体基板的表面，而形成多个沟槽，及抛光此些沟槽的底部。

主权项

一种半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，包含步骤：决定多个预定分裂线于一半导体基板的一表面上的布局，该些预定分裂线用以分裂该半导体基板成多个半导体芯片；依据该些预定分裂线的布局决定多个预定切割位置；决定一预定切割深度，使该预定切割深度大于该半导体基板的一半导体接面与该半导体基板的该表面之间的距离；根据该些预定切割位置及该预定切割深度，以一刀具切割该半导体基板的该表面，而形成多个沟槽；及抛光该些沟槽的底部。