[发明专利]一种提高III-V族化合物电子器件散热性的方法有效
| 申请号： | 201310205855.3 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103258863A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;刘凤全 | 申请（专利权）人： | 苏州强明光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/052 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 孙高 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高III-V族化合物电子器件散热性的方法，该电子器件包括活性层、设置于活性层正面的金属电极以及设置于活性层背面的背衬层，该背衬层包括金属层和聚合物层，金属层与活性层背面连接，聚合物层粘结于金属层表面；该方法包括以下步骤：a.在活性层的正面粘贴临时转移层，该临时转移层覆盖金属电极和活性层；b.去除聚合物层；c.在金属层上粘结导热支撑层；d.移除临时转移层。该方法在保证电子器件完整性的情况下有效地去除背衬层中的聚合物层，并粘贴导热的支撑层，从而提高此类电子器件的散热性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 iii 化合物 电子器件 散热 方法 | ||
【主权项】：
一种提高III‑V族化合物电子器件散热性的方法，该电子器件包括活性层、设置于活性层正面的金属电极以及设置于活性层背面的背衬层，该背衬层包括金属层和聚合物层，金属层与活性层背面连接，聚合物层粘结于金属层表面；该方法包括以下步骤：a．在活性层的正面粘贴临时转移层，该临时转移层覆盖金属电极和活性层；b.去除聚合物层；c.在金属层上粘结导热支撑层；d.移除临时转移层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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