[发明专利]异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池无效
| 申请号： | 201310206510.X | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103296209A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 毕瑜;曲胜春;谭付瑞;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，该结构由下至上依次包括：一透明衬底；一阳极，其沉积在该衬底上；一下缓冲层，其沉积在阳极上；一掺杂有源层，其沉积在下缓冲层上；一上缓冲层，其沉积在该掺杂有源层上；以及一阴极，其沉积在该上缓冲层上。本发明在不降低有机体异质结太阳电池开路电压的情况下提高了电池的短路电流，从而提高太阳电池的能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 离激元 体异质结 结合 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，该结构由下至上依次包括：一透明衬底；一阳极，其沉积在该衬底上；一下缓冲层，其沉积在阳极上；一掺杂有源层，其沉积在下缓冲层上；一上缓冲层，其沉积在该掺杂有源层上；以及一阴极，其沉积在该上缓冲层上。
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