[发明专利]一种石墨烯掺杂的方法及掺杂石墨烯在审
| 申请号： | 201310206633.3 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104217931A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王小伟;王锐;姜星宾;许应瑛;程志海;裘晓辉 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L29/167 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王崇;刘国平 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯掺杂的方法以及由该方法得到的掺杂石墨烯，该方法包括以下步骤：在石墨烯器件的表面石墨烯层上形成聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；选择需要掺杂的石墨烯区域；通过原子力显微镜的导电针尖向选定的石墨烯区域导入电荷进行掺杂。根据本发明的方法，其具有以下优点：可以原位地实现石墨烯掺杂；掺杂区域的形状多样化；掺杂浓度可控并连续可调；不仅可以有效掺杂本征样品，还可以对已掺杂的样品退掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯掺杂的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）在石墨烯器件的表面石墨烯层上形成聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；2）选择需要掺杂的石墨烯区域；3）通过原子力显微镜的导电针尖向选定的石墨烯区域导入电荷进行掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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