[发明专利]一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法在审
| 申请号： | 201310208368.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103258854A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军;李伟;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法，包括接出金属板以及接出金属板下面的体区的设计，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述接出金属板划分为栅极金属板、源区金属板、体区电极金属板。设计步骤：缩小源区的面积，形成新的源区面，留出体接出面；确定体接出面积；在体接出面上增加体接触孔；在体接触孔上连接体接出金属板。本发明的提出，实现了对体单独施加电压，能实现电调效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 及其 体区接出 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS，其特征在于，包括金属板以及金属板下面的体区，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述金属板划分为栅极金属板、源金属板、体区电极金属板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市锐骏半导体有限公司，未经深圳市锐骏半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310208368.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
