[发明专利]三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路有效
申请号: | 201310208477.4 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN104076302B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 陈永祥;郭耿铭;王丁勇;简政尉 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路。该三轴磁场传感器,包括具有第一易轴且感测X轴磁场的第一穿隧式磁电阻器;具有第二易轴且感测Y轴磁场的第二穿隧式磁电阻器;感测Z轴磁场的出平面磁场传感器;及参考单元。第一易轴与第二易轴为垂直,并分别与一平分方向的夹角为45±5度。出平面磁场传感器包括具有第一斜面与第二斜面的凹槽或凸块结构;第三穿隧磁式电阻器位在第一斜面且具有第三易轴;第四穿隧式磁电阻器位在第二斜面上且具有第四易轴;一中轴与平分方向垂直且与第三易轴和第四易轴平行。参考单元具有第五穿隧磁式电阻器及与平分方向平行的第五易轴。 | ||
搜索关键词: | 磁场 传感器 制作 结构 方法 电路 | ||
【主权项】:
一种三轴磁场传感器,包括:第一在平面磁场传感器,位于基板上以感测X轴向磁场,并具有第一穿隧式磁电阻器以及具有第一易轴,而该第一易轴被视为Y轴;第二在平面磁场传感器,位于该基板上以感测Y轴向磁场,并具有第二穿隧式磁电阻器以及具有第二易轴,而该第二易轴被视为X轴,其中该第一易轴与该第二易轴的夹角为90±10度角,且该基板上的平分方向分别与该第一易轴及该第二易轴夹有45±5度角;出平面磁场传感器,其位于该基板上以感测Z轴向磁场,该出平面磁场传感器包括:凹槽或凸起结构,位于该基板上,具有第一斜面与第二斜面与中轴,其中该第一斜面与该第二斜面相对于该基板具有相同的斜角且相对于该中轴具有对称翻转的关系,且该中轴垂直该平分方向;第三穿隧式磁电阻器,形成于该第一斜面上,具有第三易轴;第四穿隧式磁电阻器,形成于该第二斜面上,具有第四易轴,其中该第三易轴和该第四易轴平行于该中轴;以及穿隧式磁阻参考单元,位于该基板上,且具有第五穿隧式磁电阻器以及具有第五易轴,其中该第五易轴平行该平分方向。
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