[发明专利]一种在硅片上实施铝扩散的方法及其制造的晶闸管芯片

摘要

本发明公开一种在硅片上实施铝扩散的方法，包含以下步骤：1、硅片上生长氧化层；2、氧化层上光刻注入窗口；3、通过注入窗口注入铝离子；4、去除离子注入后含有铝的氧化层；5、在注入铝的硅和氧化层上生长多晶硅层作为隔离扩散掩蔽层；6、通过隔离扩散掩蔽层对注入铝的硅进行对通隔离扩散铝离子，形成对通隔离环或未对通隔离环；7、通过镓扩散或硼扩散填补隔离扩散铝离子形成的反型层，在硅片中扩散形成基区。本发明克服离子注入铝掺杂量不易控制、重复性差的难点，实现低浓度的深结扩散，提高产品反向击穿电压，提高产品结温特性，减少高温扩散温度时间，实现节能减排，提高少子寿命，提高产品电性能、稳定性，提高芯片的使用面积。

主权项

一种在硅片上实施铝扩散的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、在硅片（1）上生长氧化层（2）作为离子注入掩蔽层；步骤2、在氧化层（2）上光刻注入窗口（3）；步骤3、通过注入窗口（3）对硅片（1）离子注入铝离子；步骤4、硅片（1）清洗，湿法去除离子注入后含有铝的氧化层（5）；步骤5、以低压化学汽相淀积生长方式在注入铝离子的硅（4）和氧化层（2）上生长多晶硅层（6），该多晶硅层（6）作为隔离扩散掩蔽层；步骤6、通过隔离扩散掩蔽层，在闭管通高纯氩气的环境下对注入铝离子的硅（4）进行对通隔离扩散铝离子，在硅片（1）中形成对通隔离环（7）或未对通隔离环（8）；步骤7、通过镓扩散或硼扩散，填补隔离扩散铝离子所形成的反型层（9）并同时在硅片中形成基区（10）。