[发明专利]纳米级微结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310209010.1 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104217928B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘军库;任梦昕;张立辉;陈墨;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法，其包括以下步骤提供一绝缘基底，在所述绝缘基底的一表面形成一导电层，所述导电层包括一石墨烯膜；在所述导电层上形成一掩模预制层；采用电子束曝光对所述掩模预制层进行图案化处理，形成一图形化的掩模层，所述图形化的掩模层包括多个凹部和多个凸部，位于凹部位置处的所述导电层暴露出来；通过干法刻蚀去除位于所述多个凹部位置处的所述导电层，暴露出所述绝缘基底的部分表面；形成一预制层至少覆盖所述暴露出来的绝缘基底表面；以及，去除所述掩模层以及所述导电层，在所述绝缘基底的表面形成纳米级微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级微结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底的一表面形成一导电层，所述导电层包括一石墨烯膜；在所述导电层上形成一掩模预制层；采用电子束曝光对所述掩模预制层进行图案化处理，形成一图形化的掩模层，所述图形化的掩模层包括多个凹部和多个凸部，位于凹部位置处的所述导电层暴露出来；通过干法刻蚀去除位于所述多个凹部位置处的所述导电层，暴露出所述绝缘基底的部分表面；形成一预制层至少覆盖所述暴露出来的绝缘基底表面；以及去除所述掩模层以及所述导电层，在所述绝缘基底的表面形成纳米级微结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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