[发明专利]具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法无效
| 申请号： | 201310209915.9 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103296051A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;吴明昊;白越;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法，其中该阻变存储单元包括：下电极；形成在下电极之上的阻变层；形成在阻变层之上的中间金属层；形成在中间金属层之上的半导体材料层；以及形成在半导体材料层上的上电极，其中，中间金属层与半导体材料层形成肖特基势垒结构。本发明的具有肖特基势垒结构的阻变存储单元具有结构简单，限流效果好的优点，本发明的具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法具有简单易行，工艺兼容的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 肖特基势垒 结构 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有肖特基势垒结构的阻变存储单元，其特征在于，包括：下电极；形成在所述下电极之上的阻变层；形成在所述阻变层之上的中间金属层；形成在所述中间金属层之上的半导体材料层；以及形成在所述半导体材料层上的上电极，其中，所述中间金属层与所述半导体材料层形成肖特基势垒结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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