[发明专利]Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法

摘要

本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。

主权项

一种Si衬底三结级联太阳电池，其特征在于，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层；所述GeSi底电池、GaAs中间电池、GaInP顶电池的禁带宽度分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV；所述第一过渡层的材质是SixGe1‑x，0.8≤x＜1；所述第一过渡层中所述x含量按照远离Si衬底的方向呈线性或台阶式降低，所述第一过渡层厚度不大于2μm；所述第二过渡层的材质为GaAsyP1‑y，0.098≤y≤1；所述第二过渡层中所述y含量按照远离Si衬底的方向呈线性或台阶式降低，所述第二过渡层厚度不大于3μm。