[发明专利]基于碳纳米管的光电效应的离子源有效
| 申请号： | 201310210463.6 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103311089A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李灵锋;王向阳;汪小知;李鹏 | 申请（专利权）人： | 李鹏;汪小知 |
| 主分类号： | H01J49/16 | 分类号： | H01J49/16 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于碳纳米管的光电效应的离子源，包括紫外线发射装置和电源，所述电源正极与对电极连接；所述电源负极连接有碳纳米管电极，所述碳纳米管电极包括碳纳米管层和衬底，所述碳纳米管层与所述对电极相对，在所述碳纳米管层与所述对电极中间留有样品通过的通道；紫外线发射装置对所述碳纳米管电极进行照射；本发明采用碳纳米管进行光电效应来产生离子，碳纳米管对光的反射系数非常低，光吸收效率很高，其独特的一维结构更容易发射电子，并且可以在大气压状态下使用，解决了现有技术中利用碳纳米管进行场效应发射离子必须采用真空的问题，扩大了使用范围并且更加方便。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 光电效应 离子源 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管的光电效应的离子源，包括电源，所述电源正极与对电极连接；其特征在于：所述电源负极连接有碳纳米管电极，所述碳纳米管电极包括碳纳米管层和衬底，所述碳纳米管层设置在所述衬底的内侧且与所述对电极相对，在所述碳纳米管层与所述对电极中间留有样品通过的通道；紫外线发射装置对所述碳纳米管电极进行照射。
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