[发明专利]一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H₂等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH₄、NH₃、H₂混合气体，等离子化后在衬底上淀积a-SiN_x薄膜，通入O₂氧化a-SiN_x薄膜形成a-SiN_xO_y薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。

主权项

一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将表面洁净的衬底装入等离子体增强化学气相淀积设备的反应腔内，抽至10^‑2～10^‑1Torr；b)通入氩气，反应腔内保持压强0.2～0.3Torr，温度20～30℃，射频加载功率20～30W，使氩等离子化，以氩离子轰击清洗衬底表面，维持1～5分钟，关闭氩气气路阀门，抽尽残余气体；c)通入氢气，反应腔内保持压强0.5～0.6Torr，温度20～30℃，射频加载功率20～40W，使氢等离子化，以氢离子轰击预处理衬底表面，维持5～10分钟；d)通入硅烷、氨气、氢气的混合气体，反应腔内压强保持为0.5～0.6Torr，温度20～30℃，射频加载功率20～30W，产生硅烷、氨气、氢气混合气体的等离子体，在衬底上淀积非晶氮化硅薄膜，淀积时间维持7～10分钟，反应结束后，关闭硅烷、氨气、氢气的气路阀门，抽尽残余气体，通入氩气，清洗管道和反应腔5～10分钟，关闭氩气气路阀门，抽尽残余气体；f)通入氧气，反应腔内保持压强0.3～0.4Torr，温度20～30℃，射频加载功率20～30W，产生氧等离子体，氧化非晶氮化硅薄膜形成非晶氮氧化硅薄膜，时间维持10～20分钟，反应结束，关闭氧气气路阀门，抽尽残余气体，通入氩气，清洗管道和反应腔5～10分钟，关闭氩气气路阀门，抽尽残余气体。