[发明专利]一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法无效
| 申请号： | 201310211048.2 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103295855A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张益军;常本康;赵静;陈鑫龙;钱芸生;任玲;徐源;郝广辉;金睦淳;鱼晓华 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5～0.8，厚度在500～1000nm，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3，总厚度为1000～3000nm。本发明中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层，提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率，使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 指数 掺杂 反射 gaas 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs光电阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底（1）、p型GaAs过渡层（2）、p型Ga1‑xAlxAs缓冲层（3）、p型指数掺杂的GaAs发射层（4）以及Cs/O激活层（5）组成。
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