[发明专利]单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器

摘要

本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上；均匀布拉格光栅层，形成于该波导层之上；上限制层，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；刻蚀阻止层，形成于该上限制层之上；欧姆接触层，形成于该刻蚀阻止层的左端之上；P电极层，形成于该欧姆接触层之上；以及N电极层，形成于该基底的背面。利用本发明，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，实现频率的稳定性。

主权项

一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器包括：一基底(1)；一缓冲层(2)，形成于该基底(1)之上；一下限制层(3)，形成于该缓冲层(2)之上；一多量子阱有源层(4)，形成于该下限制层(3)的左端之上；一波导层(5)，形成于该下限制层(3)的右端之上；一相移光栅层(6)，形成于该多量子阱有源层(4)之上，与该多量子阱有源层(4)构成有源叠层；一均匀布拉格光栅层(12)，形成于该波导层(5)之上，与该波导层(5)构成无源叠层，且在该无源叠层与该有源叠层之间形成对接区；一上限制层(7)，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；一刻蚀阻止层(8)，形成于该上限制层(7)之上；一欧姆接触层(9)，形成于该刻蚀阻止层(8)的左端之上；一P电极层(10)，形成于该欧姆接触层(9)之上；以及一N电极层(11)，形成于该基底(1)的背面。