[发明专利]平面晶闸管、用于制造平面晶闸管的芯片及制作方法有效
| 申请号： | 201310211580.4 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103296076A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 周榕榕;王成森;沈怡东;黎重林 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐茂泰 |
| 地址： | 226700 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平面晶闸管，用于制造该平面晶闸管的芯片及其制作方法，晶闸管包含外壳、芯片、框架三部分，其中的芯片包含N型长基区N1，P型短基区P1、P2，隔离墙，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4），场限环等。尤其所述的隔离墙是由蒸发金属铝扩散而成，对于平面工艺的单向晶闸管芯片、双向晶闸管芯片都适用：一种优选方案中，硅片表面喷砂后蒸发金属铝，经反刻、真空合金，对通隔离扩散后形成隔离墙。另一种优选方案中，硅片经氧化、光刻隔离窗口后，沉积多晶硅薄膜，蒸发宽度与隔离窗口宽度一致的金属铝，进行对通隔离扩散后形成隔离墙。以此方法生产的平面晶闸管性能优越、稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶闸管 用于 制造 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造平面晶闸管的芯片，包含：位于芯片中间的N型长基区（N1），设置在N型长基区（N1）下侧的第一P型短基区（P1），设置在N型长基区（N1）上侧的第二P型短基区（P2）；设置在第二P型短基区（P2）上的第一扩磷区域（N2），设置在第一扩磷区域（N2）上的阴极；设置在第二P型短基区（P2）上的门极；设置在第一P型短基区（P1）上的阳极；设置在N型长基区（N1）周边的隔离墙，设置在第二P型短基区（P2）与隔离墙之间的场限环，其特征在于：所述隔离墙由蒸发金属铝扩散形成。
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