[发明专利]过压过流保护元件及过压过流保护电路在审
| 申请号： | 201310211823.4 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104218552A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 余兆安;姚志宏;霍宗亮;龙世兵;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过压过流保护元件，该元件是两端结构的阻变存储单元，当该元件两端的电压超过一定值时，其阻值由高阻值迅速转变为低阻值或者由低阻值迅速转变为高阻值，利用该元件两端的电压超过一定值时阻值由高阻值迅速转变为低阻值的特性，将该元件与负载相并联以实现负载的过压保护；利用该元件两端的电压超过一定值时阻值由低阻值迅速转变为高阻值的特性，将该元件与负载相串联以实现负载的过流保护。由于RRAM器件的电阻转变速度可达纳秒(ns)级，甚至皮秒(ps)级，转变电压可由工艺来控制，且结构简单、保护速度快、高阻阻值大且具有可逆特性等特点，是一种非常理想的过压过流保护元件。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 元件 电路 | ||
【主权项】：
一种过压过流保护元件，该元件是两端结构的阻变存储单元，当该元件两端的电压超过一定值时，其阻值由高阻值迅速转变为低阻值或者由低阻值迅速转变为高阻值，利用该元件两端的电压超过一定值时阻值由高阻值迅速转变为低阻值的特性，将该元件与负载相并联以实现负载的过压保护；利用该元件两端的电压超过一定值时阻值由低阻值迅速转变为高阻值的特性，将该元件与负载相串联以实现负载的过流保护。
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