[发明专利]一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法

摘要

一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法，包括衬底以及在衬底上的ZnO薄膜，ZnO薄膜上覆有Ag纳米颗粒，在Ag纳米颗粒上沉积有叉指状Al电极，Ag纳米颗粒暴露在叉指状Al电极相邻叉指之间；或者ZnO薄膜上沉积有叉指状Al电极，在叉指状Al电极的相邻叉指之间填有Ag纳米颗粒，Ag纳米颗粒旋涂在ZnO薄膜上。本发明采用RF磁控溅射法在衬底上形成ZnO薄膜，然后旋涂Ag纳米颗粒或沉积叉指状Al电极，在Ag纳米颗粒上沉积叉指状Al电极或在形成叉指状Al电极的样品表面旋涂Ag纳米颗粒，即得响应增强型ZnO基光电导探测器。本发明利用Ag纳米颗粒的表面等离子体共振效应来提高探测器对光的吸收能力，使得到的光电导探测器在紫外光区域的响应度得到了大幅提升。

主权项

一种响应增强型ZnO基光电导探测器，其特征在于：包括衬底（1）以及设置在衬底（1）上的ZnO薄膜（2），ZnO薄膜（2）上旋涂有Ag纳米颗粒（3），在Ag纳米颗粒（3）上还沉积有叉指状Al电极（4），且部分Ag纳米颗粒（3）暴露在叉指状Al电极（4）相邻叉指之间。