[发明专利]采用四极曝光方式的光刻装置、通光单元及光刻方法有效
| 申请号： | 201310211951.9 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103293877A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用四极曝光方式的光刻装置，通光单元及光刻方法。此光刻装置包括：光源、至少具有一组四极透光孔的通光单元，聚光透镜、光掩膜及投影透镜，从上至下依次排布。其中，上述通光单元中的至少一个透光孔内中含多个灰度区，该多个灰度区的灰度差异为过渡式差异或为跳跃式差异，聚光透镜聚集光源光线通过具有衍射功能的光掩膜、投影透镜将衍射光聚焦在位于其下部的硅衬底上。本发明显著提高了不同尺寸光刻图形的综合分辨率和工艺窗口，特别对于光刻图形为XY垂直方向排布情况下，平衡了不同尺寸光刻图形的线宽尺寸，同时避免了多次曝光产生的工艺成本增加和产出量降低。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 曝光 方式 光刻 装置 单元 方法 | ||
【主权项】：
一种采用四极曝光方式的光刻装置，包括：光源；至少具有一组四极透光孔的通光单元；聚光透镜，位于所述通光单元之下，用于聚集穿过所述通光单元中所述透光孔的光源光线；光掩膜，位于所述聚光透镜之下，用于衍射穿过所述聚光透镜的光线；投影透镜，位于所述光掩膜之下，用于将穿过所述光掩膜的衍射光聚焦在位于其下部的硅衬底上；其特征在于，所述通光单元中的至少一个透光孔内至少包含多个灰度区，所述多个灰度区的灰度差异为过渡式差异，或为跳跃式差异。
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