[发明专利]一种无硅基的圆片级LED封装方法有效

专利信息
申请号: 201310212099.7 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN103337586A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 谢晔;陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明 申请(专利权)人: 江阴长电先进封装有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/36
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 彭英
地址: 214429 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种无硅基的圆片级LED封装方法,属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下:提供带有导电电极(200)的硅本体(100);提供若干个带有正负电极(310)的LED芯片(300);将LED芯片(300)倒装于导电电极(200)上,硅本体(100)之上形成光致发光层(400),光致发光层(400)覆盖LED芯片(300)的出光面;去除硅本体(100)露出导电电极(200);在导电电极(200)的表面镀金属焊接层(500),金属焊接层(500)直接与导电电极(200)相连,在金属焊接层(500)的表面涂覆线路表面保护层(600);通过晶圆切割分离的方法形成单颗无硅基的圆片级LED封装结构。本发明提供了一种封装工艺简单、散热性能好、提升出光效率、封装费用低的无硅基的圆片级LED封装方法。
搜索关键词: 一种 无硅基 圆片级 led 封装 方法
【主权项】:
一种无硅基的圆片级LED封装方法,其工艺过程如下:提供带有导电电极(200)的硅本体(100),所述导电电极(200)为两个或两个以上;提供若干个带有正负电极(310)的LED芯片(300);将LED芯片(300)倒装于导电电极(200)上,所述硅本体(100)之上通过背胶、印刷或喷涂的方式形成光致发光层(400),所述光致发光层(400)覆盖LED芯片(300)的出光面;通过研磨和/或蚀刻工艺将硅本体(100)去除,露出导电电极(200);通过电镀或化学镀的方法在所述导电电极(200)的表面镀金属焊接层(500),所述金属焊接层(500)直接与导电电极(200)相连,并且在金属焊接层(500)的表面涂覆线路表面保护层(600),并形成线路表面保护层开口(610);通过晶圆切割分离的方法形成单颗无硅基的圆片级LED封装结构。
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