[发明专利]一种水热合成厚度可调的硫化锑微纳米片阵列的方法无效
| 申请号： | 201310214570.6 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103274466A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陈灿;梁玉洁;包海峰 | 申请（专利权）人： | 杭州师范大学 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;冷红梅 |
| 地址： | 310036 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种水热合成厚度可调的硫化锑微纳米片阵列的方法，所述方法包括：以铋盐为Bi源，以巯基化合物为S源，以水为溶剂，以二水合柠檬酸钠和乙二胺为配体，在反应体系中放置厚度均匀的钨片作为生长基底，于140～200℃下进行反应8～24个小时，通过改变配体乙二胺与水的用量比，在基底上得到相应不同厚度的硫化锑微纳米片阵列；其中，Bi源、S源、二水合柠檬酸钠的物质的量之比2：3～4：8～10，乙二胺与水体积之比为12～24%：76～88%。本发明采用的方法操作简单，原料、溶剂廉价易得，重现性好，可通过简单的变量调控得到一系列不同厚度的微纳米片阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 厚度 可调 硫化锑 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种水热合成厚度可调的硫化锑微纳米片阵列的方法，所述方法包括:以铋盐为Bi源，以巯基化合物为S源，以水为溶剂，以二水合柠檬酸钠和乙二胺为配体，在反应体系中放置厚度均匀的钨片作为生长基底，于140～200℃下进行反应8～24个小时，通过改变配体乙二胺与水的用量比，在基底上得到相应不同厚度的硫化锑微纳米片阵列；其中，Bi源、S源、二水合柠檬酸钠的物质的量之比2：3～4：8～10，乙二胺与水体积之比为12～24%：76～88%。
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