[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310214672.8 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103296158A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的n型或p型掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸锶钽镧 衬底 掺杂 gan 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，其特征在于，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310214672.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：身份认证系统
- 下一篇：一种单发射五级流水处理器的精确异常处理方法
