[发明专利]一种基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201310215172.6 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103456665B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 金基峰;金鹏;宋吉勋;权五珍 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种利用超临界流体的基板处理装置。所述基板处理装置包括壳体;支撑构件,所述支撑构件设置在所述壳体内以支撑基板;超临界流体供应单元,所述超临界流体供应单元中存储有超临界流体;供应管,所述供应管用于将所述超临界流体供应单元连接到所述壳体;由所述供应管分支出来的排气管,以排放所述供应管中残留的超临界流体;用于调节从所述超临界流体供应单元供应到所述壳体内的超临界流体流量的供应阀设置在所述供应管中;用于打开或关闭所述排气管的开关阀设置在所述排气管中。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种利用超临界流体的基板处理装置,所述装置包括:壳体;支撑构件,所述支撑构件设置在所述壳体内以支撑基板;超临界流体供应单元,所述超临界流体供应单元中存储有超临界流体;供应管,所述供应管用于将所述超临界流体供应单元连接到所述壳体;由所述供应管分支出来的排气管,以排放所述供应管中残留的超临界流体;其中,用于调节从所述超临界流体供应单元供应到所述壳体内的超临界流体流量的供应阀设置在所述供应管中;其中,用于打开或关闭所述排气管的开关阀设置在所述排气管中;其中,所述供应阀包括主阀、上部阀和下部阀,所述排气管从所述主阀的下游、所述上部阀和所述下部阀的上游之间分支出来;或所述供应阀包括临近所述超临界流体供应单元的前阀和临近所述壳体的后阀,所述排气管从所述前阀和后阀之间分支出来,所述装置还包括控制器,所述控制器控制所述供应阀和所述开关阀,当所述供应阀关闭时,所述控制器打开所述开关阀,以在卸载基板和加载新的基板的同时,通过所述排气管排放残留在所述供应管中的超临界流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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