[发明专利]一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法

摘要

一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法，涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤；一个沉积ZnO薄膜的步骤；一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列，Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀；然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线，得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比，该结构材料拥有异质结界面，可通过改变材料成分调节能带结构，并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积，非常适用于太阳能电池及光催化领域。

主权项

一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）一个制备Si纳米线阵列的步骤；2）一个沉积ZnO薄膜的步骤；3）一个制备ZnO纳米线的步骤。