[发明专利]化学气相沉积中衬底温度的控制方法有效
申请号: | 201310215310.0 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN104213104A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 马悦;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/46 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201203 上海市张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种化学气相中沉积衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制,在所述稳定时间段内所述衬底温度处于相对稳定状态且其波动幅度不超过一允许温度值T,所述控制方法包括在所述时间段内,调节加热单元的温度在初始时刻t得到一稳定值Tsp1,同时获得一个所述衬底温度的初始测量值Ts1,在改变反应条件后,获得所述衬底温度在下一时刻t+Δt的新测量值Ts2,并由所述Ts1,所述Ts2和所述Tsp1计算得到所述下一时刻的所述稳定值Tsp2。本发明避免了因所述衬底温度的测量误差引起的无法对所述衬底温度进行精确控制的问题,能够对时间段的衬底温度进行精确可靠的控制。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 衬底 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积中衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制,在所述稳定时间段内所述衬底温度处于相对稳定状态且其波动幅度不超过一允许温度值T,其特征在于,所述控制方法包括:S1.提供反应气体氛围、衬底、加热单元、第一测温装置、第二测温装置和温度控制装置,所述加热单元用于对所述衬底加热,所述第一、第二测温装置分别用于测量第一温度和第二温度,所述第一温度为所述加热单元的温度,所述第二温度为所述衬底表面的温度,所述温度控制装置用于计算和调节所述第一温度;S2.在所述稳定时间段内,调节所述第一温度在初始时刻t得到一稳定值Tsp1,在所述初始时刻,获得一个所述第二温度的初始测量值Ts1;S3.设置一时间段数值Δt,所述Δt小于所述稳定时间段的1/2;S4.改变反应条件;S5.在下一时刻t+Δt获得所述下一时刻所述第二温度的新测量值Ts2,且所述Ts2与所述Ts1差值的绝对值大于或等于所述允许温度值T时,计算所述下一时刻第一温度的所述稳定值Tsp2,其算法为Tsp2=Tsp1‑f(Ts2‑Ts1),所述f(Ts2‑Ts1)为所述新测量值和所述初始测量值的差Ts2‑Ts1的函数;S6.调节所述第一温度至所述稳定值Tsp2;S7.重复S5‑S6,直到第二温度在Δt内的差值的绝对值小于所述允许温度值T。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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