[发明专利]平面波导型可调光衰减器在审
申请号: | 201310216150.1 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104216145A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 陈谷红 | 申请(专利权)人: | 宜兴新崛起光集成芯片科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴市经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及集成光学技术领域。它提出了一种多信道平面波导型可调光衰减器,是基于平面光波导技术,采用硅基沉积二氧化硅和金属薄膜溅射法的多层平面晶圆加工制作工艺和技术。该衰减器的光路由马赫-曾德尔干涉仪的上臂调节支路和下臂直通支路构成;加热电路由高电导率的导电层和高电阻率的加热层构成;光电控制回路由光耦合器、光电二极管、运算放大器、微处理器构成,能对可调电源作出线性调节和控制,从而在衰减器的输出端得到不同大小的光功率;并采用深度刻蚀的隔热槽结构,可减小光衰减器的串扰。该光器件不但集成度高,性能稳定可靠;而且制作工艺成熟、稳定、适合大批量生产,可广泛应用于光通信网络系统和光学仪器设备。 | ||
搜索关键词: | 平面 波导 调光 衰减器 | ||
【主权项】:
平面波导型可调光衰减器,由多层光电晶圆结构组成,包括硅基、衬垫、波导光芯、覆盖包层、加热层、导电层、保护层和深度刻蚀层,其特征在于:硅基晶圆上沉积折射率及厚度不同的二氧化硅衬垫、波导光芯和覆盖包层,构成平面光波导层;平面光波导层的光路调节支路上溅射金属薄膜加热层和导电层;在金属薄膜上沉积防金属氧化的保护层;光路调节支路和信道间刻蚀深度隔热槽;可调光衰减器的光路由马赫‑曾德干涉仪单元构成;加热电路由电子控制的可调电源、高电导率的金属导电薄膜电路、高电阻率的金属加热薄膜片以及电路接口组成;光电控制回路由光耦合器、光电二极管、运算放大器、微处理器构成。
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