[发明专利]一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法有效

专利信息
申请号: 201310216285.8 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN103320838A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 姜兆华;胡冰;姚忠平;沈巧香;王志江 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 牟永林
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法,它涉及一种钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法。本发明是要解决现有微弧氧化方法在TC4钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法中电解液含重金属元素,成本较高,污染严重,不适用于绿色化的工业生产缺点的技术问题。本发明方法如下:一、表面处理;二、配制电解液;三、微弧氧化处理;四、冲洗、干燥即可在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。本发明主要用于在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
搜索关键词: 一种 tc4 钛合金 表面 原位 生长 黄色 陶瓷膜 方法
【主权项】:
一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法,其特征在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法是按以下步骤进行的:一、表面处理:首先采用600#砂纸打磨TC4钛合金基体完全去除表面氧化膜,然后采用1000#砂纸进行抛光处理,得到打磨后的TC4钛合金基体,采用乙醇或丙酮对打磨后TC4钛合金基体的表面进行擦洗除油,最后用去离子水清洗,自然晾干后得到表面处理后的TC4钛合金基体;二、配制电解液:首先将主成膜剂溶解于去离子水中,然后加入辅助成膜剂和添加剂,均匀混合配制得到电解液;所述的主成膜剂的质量与去离子水的体积比为(1.3g~7.9g)∶1L;,所述的辅助成膜剂的质量与去离子水的体积比为(0.5g~1.5g)∶1L;所述的添加剂的质量与去离子水的体积比为(2g~6g)∶1L;其中所述的主成膜剂由六偏磷酸钠和多聚磷酸钠按六偏磷酸钠与多聚磷酸钠的质量比为5∶1混合而成,其中所述的添加剂为氢氧化钠,其中所述的辅助成膜剂为铝酸钠;三、微弧氧化处理:首先将步骤二得到的电解液装入不锈钢槽体中,然后再将步骤一得到的表面处理后的TC4钛合金基体固定于不锈钢槽体中,且保证表面处理后的TC4钛合金基体要原位生长陶瓷膜层的部分完全浸入到电解液中,然后以钛合金板为阳极,不锈钢槽体为阴极,采用单向脉冲电源,在恒电压为350V~420V和频率为50Hz~2000Hz的条件下氧化5min~20min,得到微弧氧化处理后TC4钛合金板;四、清洗、干燥:将步骤三得到的微弧氧化处理后的钛合金板取出,先用去离子水冲洗,再自然干燥或用电吹风吹干,即完成TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
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